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台积电官宣 2nm 技术,FinFET 晶体管将被终结!功耗降低 30%

发布时间:2022年06月17日 06:40:23 好文 人已围观

简介台积电推出 2nm 制程 N2,相较 N3,同功耗下速度快 10-15%,同速度下功耗降低 25-30%。...

6 月 17 日上午消息,台积电在今日举行的 2022 技术论坛上,首次推出了下一代先进制程 N2,也就是 2nm。

技术指标上,台积电透露,N2 与 N3 相比,在相同功耗下,速度快 10%至 15%;在相同速度下,功耗降低 25%至 30%,开启了高效能的新纪元。

从纵向对比来看,2nm 相较于 3nm 的提升,似乎没有 3nm 相较于 5nm 那么明显,包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。

在微观结构上,N2 采用纳米片晶体管(Nanosheet),取代了 FinFET(鳍式场效应晶体管),外界普遍认为纳米片晶体管就是台积电版的 GAAFET(环绕栅极晶体管)。

台积电还表示,N2 不仅有针对移动处理器的标准工艺,还会有针对高性能运算和小芯片(Chiplet)的整合方案。

时间节奏方面,N2 将于 2025 年实现量产。

此外,根据台积电最新技术路线图,第一代 3nm(N3)定于下半年量产,3nm 也将比较长寿,后续还有 N3E、N3P 和 N3X。

Tags: 台积电  2nm