三星 2nm 工艺即将登场：3 年后量产，曾在 3nm 实现对台积电的弯道超车

在 6 月的最后一天，三星宣布其 3nm 工艺正式实现量产。这一次，三星终于在新一代工艺量产方面领先台积电，实现了弯道超车，而台积电的 3nm 工艺要到今年下半年才会量产。

据三星官方介绍，在 3nm 芯片上，他们摒弃了之前的 FinFET 架构，转而采用了全新的 GAA 晶体管架构，这使得芯片的功耗表现得到了大幅改善。

与 5nm 相比，新研发的 3nm GAE 工艺可降低 45%的功耗，减少 16%的面积，并同时提升 23%的性能。

第二代的 3nm GAP 工艺则能进一步降低 50%的功耗，提升 30%的性能，同时面积减少 35%，效果更为显著。

那么，接下来呢？三星也有了明确的规划。在 3nm GAP 工艺之后，将迎来 2nm GAP 工艺，该工艺同样基于纳米片技术的 GAA 晶体管，但结构会进一步优化，从 3 个纳米片增加到 4 个，这样可以提高驱动电流，同时还会优化堆叠结构，以提升性能、降低功耗。

2nm GAP 工艺的量产时间也已确定，预计在 2025 年实现量产，这一时间点与台积电的 2nm 工艺量产时间相近，而且很有可能在技术上超越后者，因为台积电的 2nm 工艺在晶体管密度上的提升幅度较小，仅为 10%。

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