美国重启 90nm 工艺，性能竟超 7nm 芯片 50 倍：逆向超车

在先进芯片工艺方面，美国厂商已落后于台积电和三星，这两家已量产或即将量产的 7nm、5nm 及 3nm 工艺遥遥领先。然而，美国有更多计划，并非一定要在先进工艺上超越它们，甚至准备逆其道而行之，复活 90nm 工艺，所制造芯片的性能将是 7nm 芯片的 50 倍。

美国晶圆厂 SkyWater 日前宣布，获得美国国防部下属的 DARPA 进一步资助，后者将提供 2700 万美元，以推动开发 90nm 战略抗辐射（RH90）FDSOI 技术平台，总投资计划高达 1.7 亿美元。

与台积电、三星、Intel 等半导体公司相比，SkyWater 规模较小，资历也较浅，于 2017 年成立，其晶圆厂主要源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先进，主要生产 130nm 及 90nm 芯片，部分先进芯片才达到 65nm 级别。

但他们却获得了美国 DARPA 的青睐，成立不久后就参与了后者的 ERI 电子复兴计划，该计划在 5 年内投资 15 亿美元，以推动美国半导体行业的发展。

在 ERI 计划中，SkyWater 并未追求技术更强但更昂贵的先进工艺，而是采用 90nm 工艺制造 3D SoC 芯片，通过集成电阻 RAM、碳纳米管等材料来实现更强的性能，其性能可达 7nm 芯片的 50 倍。

当然，这些技术目前尚未完全突破，毕竟这种做法前所未有。一旦成功，可能会成为改变半导体行业规则的新技术。

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