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发布时间：2022年07月26日 21:15:37 好文人已围观

简介美光近日全球首发232层堆栈的TLC闪存，此款闪存为首个超过200层的产品，且为行业密度最高的闪存。其接口速度提升至2.4GB/s，写入速度提高了100%。这一创新标志着美光在3D闪存技术领域...

自2021年全球首次推出176层堆叠的3D闪存以来，美光公司今日宣布其232层堆叠的TLC闪存也已全球首发。这一产品不仅是首个超过200层的闪存，也是行业内最具密度的，接口速度提升到了2.4GB/s，写入速度相比前代产品提升了100%。

美光技术与产品的副总裁Scott DeBoer表示，232层闪存标志着存储芯片创新的重要里程碑，首次展示了3D闪存可以扩展到200层以上的潜力。

在性能指标方面，美光的232层TLC闪存实现了业内最快的IO速度，达到2.4GB/s，比前一代的176层闪存高出50%，并且写入带宽提升了100%，读取带宽提高了75%。

值得一提的是，美光的232层闪存是全球首款六平面TLC闪存，拥有最多的平面，每个平面能够独立读取。其高IO速度、低延迟，以及六平面设计的结合，使得232层闪存在数据传输能力上表现出色。

此外，美光的232层闪存还率先支持NV-LPDDR4，这是一种低电压接口，与之前的IO接口相比，每比特能效提升超过30%。

在其他方面，美光的232层TLC闪存创造了史上最高的密度，达到了14.6Gb/mm²，较目前的TLC闪存提高了35%至100%。该232层闪存采用11.5x13.5mm的封装尺寸，较前代产品小了28%，是市场上面积最小的高密度闪存，能够有效减少电路板空间的占用。

目前，美光的232层闪存已在新加坡的工厂开始量产，首批将通过旗下英睿达品牌推出消费级SSD，后续将会发布更多相关产品。