国产闪存技术迅速提升：预计明年赶超232层，与三星仅差一年

昨晚，美光公司宣布已开始量产232层闪存，这标志着全球首次突破200层，成为当前速度最快、密度最高的TLC闪存。三星、恺侠、西数及SK海力士也计划陆续量产200层以上的闪存。

在闪存领域，国内厂商长江存储正在积极追赶，它们的策略与众不同，采用Jump Development的方式，直接跳过某些过渡阶段。在成功量产64层闪存后，长江存储迅速跳升至128层，略过96层的生产。

未来，长江存储的主要产品将是128层闪存，计划在今年下半年提升至192层，并在研发200层以上的闪存，最快可能在2023年底看到232层的面世，若进展稍慢，2024年也会实现。

若明年能见到国产的232层闪存，这表明在技术层面上，国产闪存与三星、美光、SK海力士等大厂的差距仅剩约一年，进展显著。

当然，缩短技术差距只是其中一面，当前国产闪存面临的主要挑战是产能不足，全球市场份额仅有5%左右，而三星的市场份额超过35%。恺侠和收购Intel闪存业务的SK海力士的份额大致在20%左右。在接下来的几年内，提升产能及夺取市场份额仍将是国产闪存的奋斗目标。

Tags： TLC闪存  闪存 

提示：本站文章来源于网络或投稿