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发布时间：2022年07月28日 22:26:39 好文人已围观

简介美光近日宣布全球首个232层堆叠NAND闪存的量产，成为首家突破200层的公司。这款新型TLC闪存首次采用6个平面，存储密度达到14.6Gb/mm²，IO速度提升50%至2.4GB/s，同时读取带宽也有所增加。...

日前，美光正式发布了全球首款232层堆叠的NAND闪存，成为第一个突破200层技术并实现量产的企业。

这款新型闪存仍采用TLC技术，首次采用了6个平面，存储密度达到了14.6Gb/mm²，I/O速度提升了50％至2.4GB/s，读取带宽增加了785％，写入带宽也提升了10％，封装面积则缩小了28％，并首次支持NVLPDDR4内存。

然而，仅仅两天后，韩国的闪存巨头SK海力士宣布，计划在今年内试生产238层NAND闪存，并预计明年上半年实现量产，比美光的产品多出6层。

SK海力士没有详细透露238层闪存的技术信息，只表示各家企业的技术路线和产品发布节奏各有不同，SK海力士的主要目标是追求行业中的最高盈利水平。

此外，SK海力士计划在今年将176层闪存的出货比例提升至70％，以进一步提高其毛利率。

在国际巨头之间激烈竞争的同时，国产闪存的发展也在持续推进。

长江存储目前处于量产阶段的闪存是128层，早前有传闻称其已经试产192层，但也有消息表示其可能直接跳过192层，而驶入232层的技术轨道。

尽管如此，关于何时实现量产仍未定论，有人预测可能在今年底实现，而另一些观点则认为可能要到2024年。

如果这个猜测成真，那么国产闪存与国际最前沿技术的差距仅仅是一年多一点的时间。