Intel技术重塑：出货3500万“7nm”芯片，及“1.8nm”提前面世

在Intel今日发布的第二季度财报中，尽管其营收与利润都出现了不同程度的下降，但公司在先进制造工艺方面却透露了多项新进展，显示出其不再推迟进度。相反，20A和18A工艺的量产时间将会提前。

自从去年的第12代酷睿处理器面世以来，Intel便开始应用Intel 7工艺，这一工艺的名称与竞争对手的工艺相互对应。这不仅是Intel在更名之后推出的首个新制造工艺，同时也奠定了未来四年内计划推出的五代CPU工艺的基础，依次为Intel 7、Intel 4、Intel 3，以及20A和18A工艺。

目前，Intel 7工艺作为主力产品，与友商的7nm工艺并行，不仅首次应用于第12代酷睿，还将在年底推出第13代酷睿与服务器级的Sapphire Rapids，均基于Intel 7工艺生产。

Intel表示，基于Intel 7工艺生产的处理器已经出货超过3500万颗。

紧随其后的是Intel 4工艺，这是Intel首次将EUV技术应用于制造中，其每瓦性能预计提升约20%。Intel透露该工艺将在今年下半年准备就绪，随时可进行量产。

首款搭载Intel 4工艺的产品将是明年发布的第14代酷睿Meteor Lake系列，最早可能在上半年亮相。

然后是Intel 3工艺，预计在Intel 4的基础上再提升约18%的每瓦性能，这一代工艺将成为Intel未来代工服务的主要工艺。

接下来，Intel将推出20A和18A工艺，这两者将首次实现埃米节点技术，相当于友商的2nm和1.8nm技术，其中20A相较前代Intel 3在每瓦性能上提升约15%，而18A在20A的基础上再提高大约10%。

此外，这两种新的工艺还将首次搭载两项突破性技术，RibbonFET和PowerVia。RibbonFET技术实现了Gate All Around晶体管，为自2011年推出FinFET以来的全新晶体管架构，实现了更快的开关速度，并在占用空间更小的情况下，提供与多鳍结构相同的驱动电流。

PowerVia则是Intel独创的行业首个背面电力传输网络，旨在通过消除晶圆正面供电布线的需求，优化信号传递性能。

根据Intel的最新消息，Intel 3以及20A、18A三种工艺的进展都十分顺利，不仅没有延迟，甚至还将提前进行量产——之前的传闻也暗示了这一点，原定于2025年量产的18A工艺，现在有望在2024年下半年实现量产，在这一年中Intel将同时量产20A与18A工艺。

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