日本半导体技术滞后中国，正致力于推进2nm工艺研发

在半导体技术方面，日本在20世纪80年代曾领跑全球，并且是最早研发出NAND闪存的国家。然而，现如今日本的半导体行业已经显著下滑，虽然在闪存芯片和制造设备领域仍具竞争力，但其最先进的逻辑工艺水平仅达到40nm，已落后于中国。

日本半导体的衰退与美国当年的打压以及对韩国的扶持相关，同时，Intel当年退出内存芯片市场也是因与日本企业的竞争。然而，当前形势有所改变，日本已与美国在先进工艺方面展开合作，力争在未来几年内实现2nm工艺的量产。

据报道，日本与美国在半导体领域已经建立了合作关系，美国的一些国家研究机构与日本高校计划在日本建立一个联盟，Intel和IBM也可能参与其中，为该联盟提供技术平台，并与日本的半导体设备和材料公司共同开发用于数据中心及自动驾驶行业的先进技术。

之前的消息显示，日本和美国计划于2025年左右实现2nm工艺的量产，这将成为全球最先进的工艺，届时其技术水平将不逊色于台积电、三星或Intel。

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