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发布时间：2022年08月19日 20:08:22 好文人已围观

简介东芯半导体近日在回应投资者提问时透露，该公司采用19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品已完成首轮流片，展现了中国在NAND闪存领域的技术进步。虽然长江存储是该行业的代表，但仍有许...

提到国产NAND闪存，许多人首先想到的是长江存储，但在这一领域还有许多其他企业在不断努力。

在8月19日，东芯半导体在回应投资者提问时透露，其19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品的首轮流片已经完成，目前正处于产品调试阶段。

东芯表示，公司在工艺更新方面持续进行深入研究，经历了从38nm、24nm到当前开发的19nm，不断提升以期为客户提供更具性价比和更高容量的产品。

对于是否会进入3D NAND闪存市场，东芯的回应是，目前专注于中小容量通用存储芯片的研发、设计和销售，暂时不涉足3D NAND技术。

另外，由于车规级存储器产品对各项指标要求更为严格，因此其认证和导入过程较长，目前相关产品正在积极研发和推进中。

依据公开资料，东芯半导体股份有限公司(DoSilicon)成立于2014年，总部设在上海，并在深圳、南京、香港和韩国等地设有办事处或子公司，目标是成为全球领先的存储芯片设计公司。

作为一家Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立的知识产权，并专注于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是国内少数能够同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发企业。