Intel展望万亿晶体管时代：FinFET技术即将退出历史舞台

在过去的五十年里，半导体领域始终受到摩尔定律的推动，这一经典理论推动了芯片技术的不断演变。然而，近来摩尔定律似乎逐渐显得不合时宜，而Intel作为这一理论的坚定支持者，如今出来表态，认为摩尔定律依然活跃，预计到2030年，芯片的密度将提升至1万亿晶体管，达到目前水平的十倍。

在上周的Hotchips 2022会议上，Intel的首席执行官基辛格发表了主题演讲，他指出先进的封装工艺将为摩尔定律的延续提供助力，推出系统级封装（System on Package，简称SOP），并表示芯片制造商将不仅提供单一的晶圆加工，而是全面的系统级服务，包括晶圆生产、先进封装以及综合软件技术等。

基辛格提到，目前芯片的晶体管数量大约在1000亿左右，而在SOP技术成熟后，预计到2030年芯片的晶体管密度将提升至1万亿，达到现有水平的十倍。

不过，要实现晶体管密度的十倍增长，需要在技术上取得重大突破。目前使用的FinFET晶体管技术已经到达发展瓶颈，Intel计划在2024年量产的20A工艺中放弃FinFET技术，转而采用RibbonFET和PowerVIA等下一代技术。

根据Intel的介绍，RibbonFET是公司对Gate All Around晶体管的创新实现，标志着自2011年引入FinFET以来的全新晶体管架构。这一技术不仅提升了晶体管的开关速度，还在保持驱动电流与多鳍结构相当的同时，减少了所占用的物理空间。

PowerVia则是Intel独创的行业首个背面电源传输网络，旨在通过消除对晶圆正面供电布线的需求，从而优化信号传递。

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