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发布时间：2022年09月11日 07:52:30 好文人已围观

简介当地时间9月9日，Intel CEO基辛格宣布将在美国俄亥俄州投资200亿美元建设一座大型晶圆厂，此举属于Intel IDM 2.0战略的一环。整体投资计划高达1000亿美元，预计新工厂将在2025年实现量产，...

在9月9日的新闻发布会上，Intel首席执行官基辛格宣布将在美国俄亥俄州斥资200亿美元建立一座新的大型晶圆厂，此举是Intel IDM 2.0战略的一部分。整体投资计划将达到1000亿美元，新厂预计在2025年开始量产，届时“1.8nm”工艺将助力Intel重返半导体领导地位。

自从基辛格于去年2月成为Intel CEO以来，他积极推动在美国及全球范围内建设工厂，其中美国本土的投资额已超过400亿美元，去年在亚利桑那州投资200亿美元建设晶圆厂，此次在俄亥俄州同样投资200亿美元，同时在新墨西哥州建设新的封装测试工厂。

这座Intel新工厂是美国在通过528亿美元的芯片补贴法案后国内新建的首个大型半导体制造厂，因此美国总统以及俄亥俄州的州长等地方官员均出席了开工仪式。

Intel的芯片制造基地将包括两座晶圆厂，最多可设置8座工厂及支持生态系统，占地近1000英亩，约为4平方公里，将创造3000个高薪职位及7000多个建筑工的位置，还有数万个与供应链相关的工作机会。

这两座晶圆厂预计将在2025年开始量产，尽管Intel并未详细披露工厂的具体工艺水平，但他们之前表示「将在4年内掌握5代CPU工艺」，预计2024年将开始量产20A与18A两代工艺，因此该工厂届时也有可能会实现18A工艺的量产。

20A和18A是全球首个达到埃米级别的芯片工艺，分别相当于竞争对手的2nm和1.8nm工艺，同时将首次推出Intel的两项创新技术Ribbon FET和PowerVia。

根据Intel的介绍，Ribbon FET是其在Gate All Around晶体管上的实现，它将成为自2011年推出FinFET以来的全新晶体管架构。这种新技术在加速晶体管的开关速度的同时，能实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用空间更小。

PowerVia是业内首个由Intel独创的背面电能传输网络，旨在通过消除晶圆正面的供电布线需求，从而优化信号传输效率。