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三星计划于2027年实现1.4nm芯片工艺量产,领先行业发展。
发布时间:2022年10月04日 10:14:36 好文 人已围观
简介半导体行业对于摩尔定律的讨论持续升温,一些厂商声称其已走到尽头,而另一些则努力推动其延续。三星在今年6月率先实现3nm工艺的量产,并计划于2025年推出2nm工艺,近期还宣布将进...
在半导体领域,有些制造商声称摩尔定律已不再适用,而另一些则努力为其续命,以期工艺持续进步——三星公司在今年6月率先实现3nm工艺量产,并计划在2025年推动2nm工艺的量产,而他们最近还宣布将在2027年推出1.4nm工艺。
三星晶圆代工业务的总裁崔时荣表示,将依靠下一代全环绕栅极(GAA)晶体管架构不断推进技术创新,预计在2025年实现2nm芯片的生产,计划在2027年量产1.4nm工艺。
然而,三星尚未提供1.4nm工艺的具体参数,现在谈论晶体管密度、性能与功耗还有些为早,但对于三星而言,这再次是一个超越竞争对手的良机,毕竟他们首个宣布了1.4nm的量产计划。
不仅三星在推进1.4nm的量产,台积电同样在加紧3nm工艺的建设与量产,计划在2025年推出2nm工艺。今年中,他们也组建了团队,专注于1.4nm工艺的研发,当前处于TV0的第一阶段,主要任务是明确2nm技术的规格。
此外,英特尔计划于2025年量产20A及18A两代工艺,分别相当于同行业的2nm和1.8nm,尽管这并非1.4nm工艺,但在2025年前后,三家企业之间的竞争将十分激烈。
实现1.4nm工艺的大规模生产还需要一个条件,即广泛部署ASML的下一代高NA EUV光刻机,孔径从当前的0.33提升至0.55,这将显著提高光刻的分辨率,该设备预计将在2026年正式投产,并将在明年向三大客户交付样机。
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