台积电积极布局1nm技术，EUV光刻机将成为关键因素，摩尔定律仍在延续

在制造工艺方面，台积电计划在今年年底实现3nm工艺的量产，2025年则确定开始量产2nm工艺，这一代将采用GAA晶体管技术，取代现行的FinFET晶体管。

接下来呢？在2nm之后，有望推出1.4nm工艺，目前Intel、台积电和三星这三大芯片制造商正全力以赴进行研究，其中三星率先宣布将于2027年量产1.4nm工艺，而台积电尚未透露具体时间，但预计也将在2027年左右实现。

在1.4nm的后面便是1nm工艺，这一技术节点曾被视为摩尔定律的物理瓶颈，几乎被认为无法实现，不过现阶段芯片厂商已经开始对此进行研发。

台积电已经启动了前期项目，据传闻，1nm晶圆厂可能会设立在新竹科技园区的桃园龙潭区域，这表明台积电在为1nm工艺做准备，毕竟工厂的建立需提前一至两年进行设计与建设。

然而，要真正实现1nm的量产仍需经过一段时间，关键的设备便是下一代EUV光刻机，其需要升级到高NA（数值孔径）标准，从现有的0.33 NA提升至0.55 NA，数值孔径的提升意味着更高的分辨率，是在3nm工艺之后发展所必需的。

根据ASML的计划，下一代EUV光刻机的试验型号最快将于明年开始出货，并预计在2025年后能够实现正式量产，售价预计将超过4亿美元。

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