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发布时间：2022年11月06日 16:53:00 好文人已围观

简介Intel承认在EUV光刻工艺上的失误，导致台积电和三星领先。然而，作为最初研发EUV技术的半导体公司，Intel正努力追赶。预计到今年底，Intel将首次规模量产EUV的Intel 4工艺，标志着其在市...

在EUV光刻技术方面，Intel此前坦承曾走错了一步，导致台积电和三星在此领域抢得先机。值得一提的是，Intel是首批研发EUV工艺的半导体公司之一，如今他们已准备迎头赶上，预计在今年年底首次投入量产其EUV技术的Intel 4工艺。

Intel 4实际上是之前的Intel 7nm工艺，同时也是Intel的EUV光刻技术首次应用，其高性能库的晶体管密度可达到每平方毫米1.6亿晶体管，是Intel 7的两倍，超越了台积电5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2，并且接近台积电3nm的2.08亿晶体管/mm2。

Intel一直对Intel 4工艺的进展持乐观态度，之前曾多次表示预计在年底进行量产。然而，究竟达到什么程度的生产，了解半导体行业的人都清楚，风险试产、小规模和大规模量产之间有很大的差别。

最新消息表明，Intel 4工艺现已进入大规模生产阶段，意味着Intel在商业化生产方面不存在问题。

首个搭载Intel 4工艺的产品将是第14代酷睿Meteor Lake处理器，预计在第四季度会有正式流片，最终产品将在明年面市。

根据此前的消息，14代酷睿不仅将升级至Intel 4工艺及全新架构，还将首次实现多芯片集成封装，CPU、核显和输入输出功能各自独立，采用不同的制造工艺。

Meteor Lake的CPU Tile模块将使用Intel 4工艺生产，而IOE Tile和SoC Tile模块则会由台积电的6nm工艺生产，Graphics Tile显卡模块采用台积电的5nm工艺，Base Tile模块则由Intel自有的22nm工艺制造。

在第14代酷睿中，Intel成功实现了五个芯片的集成，结合了四种不同的逻辑工艺。