UFS 4.0 闪存来了！速度翻倍，读取高达 4200MB/s，旗舰机将迎新换代

除了处理器，你的手机或许将迎来一个足够充分的升级理由，那就是 UFS 4.0 闪存来了。

5 月 4 日早上消息，三星半导体宣布，其已成功研发出业内性能最优的 UFS 4.0（Universal Flash Storage）存储芯片，并且该芯片已通过 JEDEC 固态存储协会的认证批准。

在性能方面，UFS 4.0 的每通道带宽速度提升至 23.2Gbps，是 UFS 3.1 的两倍。基于三星第七代 V-NAND 闪存和自主研发的主控，其实测连续读速可达 4200MB/s，连续写速可达 2800MB/s。

与之相比，目前业内性能最佳的三星 512GB UFS 3.1 闪存芯片（2020 年 3 月发布），其标称连续读速最高为 2100MB/s，写速为 1200MB/s。换算后，写入速度提升了 1.3 倍。

在速度提升的同时，单位功耗竟然还降低了。按照三星的说法，每 1mA 电流可支持 6MB/s 的读速，较前一代提高了 46%，这意味着用户能够获得更长久的电池续航时间。

此外，UFS 4.0 闪存芯片的封装尺寸仅为 11x13x1mm，最大容量可达 1TB。

据了解，三星 UFS 4.0 闪存将于今年第三季度开始量产，也就是说，最快在下半年就可能会看到相关手机面市，比如三星自家的 Galaxy Z Fold 4、Z Flip 4 以及明年的 S23 系列等。

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