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三星840 EVO深度解析：揭开低端神话的真相
发布时间：2013年07月29日 18:05:35 三星 人已围观
简介840系列固态硬盘是三星针对低端市场推出的产品，采用TLC NAND闪存，虽然受到一些人的质疑，但因其价格低廉和性能尚可，受到广泛欢迎，成为装机的热门选择。实际使用中，TLC闪存并未...
三星推出的840系列固态硬盘旨在低端市场，尽管使用了被一些人批评的TLC NAND闪存，由于具备价格便宜和良好性能的特点，因而赢得了广泛的用户青睐，装机率很高。实际使用中，128GB型号在常规负载下的寿命超出了11年。
如今，三星发布了840 EVO作为其后续产品，规格和性能均有显著提升，且价格依然保持在合理范围内。这款新产品能否延续840的成功？AnandTech近日对此进行了深入评测，并测试了五种不同容量的型号。
【840 EVO规格简介】
840 EVO采用了最新的1xnm工艺的TLC闪存，具体为19nm（待官方确认），与上一代21nm相比，工艺进步似乎不算明显，依旧维持单颗Die最大128Gb（16GB）和8KB页面尺寸，但每个区块的页面数从192增至256。
这款闪存每颗最高可容纳八个Die，将单颗最大容量限制在128GB。
在可靠性方面，编程与擦写循环次数仍然是1000-3000，虽然这个数字不算高，但对于一般应用来说已经足够。
IMFT（Intel/美光）及三星NAND闪存对比图
840 EVO使用的是第五代MEX主控，依旧采用三核心的Cortex-R4处理器，但其频率提升到了400MHz，并且支持SATA 3.1接口（类似闪迪Extreme II），能有效支持TRIM指令的队列。
它同样具备AES-256硬件加密功能，并且每款硬盘的标签上印有PSID加密信息，这样在遗失密钥后可以方便解锁，但数据会因此丢失。
三星计划在9月发布固件更新，以支持TCG Opal和微软eDrive规范，在安全性上与美光M500竞争——同样采用TLC技术。
作为全球一流的DRAM制造商，三星为840 EVO系列配备了高容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存，120GB型号配备256MB，250/500GB型号则为512MB，750GB/1TB则是1GB。实际上，对于250GB型号来说，512MB的缓存显得有些奢侈。
840 EVO规格列表
840系列凭借低价策略赢得市场，840 EVO也将延续这一优势，不过其官方定价要比目前的840略高，这可以理解，在正式上市后定价预计会更加亲民。
三星透露，840 EVO将在八月初正式上线销售。
固态硬盘价格对比图（数据来源于美国亚马逊）
