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三星推出全球首款量产3D立体闪存V-NAND
发布时间：2013年08月06日 13:15:47 三星 人已围观
简介三星电子近日宣布已批量生产全球首款采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”，进一步巩固了其在存储技术领域的领导地位。如今，3D堆叠技术成为行业趋势，广泛应用于处理器和内存等产品...
毫无疑问，三星电子在存储技术领域的优势无与伦比，今天宣布成功实现全球首款大规模量产的采用3D垂直结构的NAND闪存“V-NAND”。如今，3D堆叠技术已成为一种趋势，处理器和内存等组件都趋向于垂直堆叠排列。
三星的V-NAND每颗芯片容量为128Gb（相当于16GB），其内部采用了三星独有的垂直单元设计，并通过3D CTF电荷捕获技术以及垂直互连工艺来实现3D单元阵列的连接。
根据三星的说法，这种新型闪存的扩展能力超过普通2xnm平面型闪存的两倍，可靠性至少提升至原来的两倍，最多可达十倍，同时其写入性能也能达到1xnm NAND闪存的两倍。Tb级别（128GB）的闪存芯片即将问世。
早在2006年，三星便开始了CTF技术的研发。在这种结构中，电荷被临时存储在氮化硅（SiN）制成的非导电层，而不再通过浮动栅极来阻断相邻单元的干扰。现在，三星成功将这一结构发展到三维水平。
此外，三星自主研发的垂直互连工艺能够堆叠多达24个单元层，并采用特制的蚀刻技术实现从顶层到底层的打孔，以便于各层之间的电子连接。
三星自豪地透露，经过十多年的努力，他们在3D存储技术领域已获得300多项专利。
三星的V-NAND闪存适用于多种消费电子设备和企业应用，包括嵌入式NAND存储和固态硬盘。
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