海力士、SanDisk与美光：我们同样拥有3D闪存技术

三星电子已率先在市场上实现了3D垂直堆叠NAND闪存的量产，并推出了基于这种技术制造的首款固态硬盘。同时，在最近举行的闪存峰会上，SK海力士、SanDisk和美光等公司也积极展示了各自的3D闪存技术。

首先我们来关注一下三星的创新。

当前，三星已经实现了24层的堆叠，并且每颗芯片的容量为128Gb（16GB），而预计到2017年该容量将提升至单颗1Tb（128GB）。

全球首款基于3D V-NAND闪存的固态硬盘，从外观上看与传统产品相似。

得益于3D闪存技术，获得同等存储容量所需的颗粒数量显著减少，且其性能优越（持续写入速度提升22% / 随机写入速度提升20%）并且功耗大幅降低（平均功耗降低27% / 峰值功耗降低45%）。

现场展示了由SK海力士制造的300毫米闪存晶圆，该产品也使用了3D堆叠技术，其单颗芯片容量同样为128Gb（16GB），属于MLC NAND类型。

海力士预计将在2014年第一季度正式投放市场。

海力士的3D闪存晶圆

2D与3D NAND闪存的结构对比

SanDisk与东芝合作研发了3D NAND闪存，命名为“BiCS”，不过预计直到2015年下半年才会进入试生产阶段，显得起步较晚。

SanDisk表示届时将采用1z nm工艺。

——闪存行业通常不清晰标示具体制造工艺（至少在初期是模糊的），而是使用1x、1y、1z nm等分类标识，技术逐渐先进，如1x通常代表19nm，1y大约在15nm左右，而1z则接近10nm。

SanDisk NAND闪存工艺及技术发展路线图：2013年底至2014年初投产1y nm，2014年底到2015年初投产1z nm，3D闪存将于2015年下半年推出

由于3D闪存滞后，SanDisk在发布会上将重点放在2D闪存技术上

在3D闪存领域，SanDisk显得逐渐落后

美光作为闪存行业的长期领军者，当然也会参与这场竞争，但其对于3D闪存的介绍比较模糊，仅表示将在适当的时候与大家分享更多信息。

根据计划，美光将量产其16nm闪存工艺，随之推出的将是与Intel合作的3D闪存，容量达到256Gb（32GB）