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三星启动生产全球最先进的20nm DDR3内存芯片
发布时间：2014年03月11日 13:10:51 三星 人已围观
简介三星电子今日宣布启动全球最先进的DDR3内存颗粒的批量生产，采用新开发的20nm工艺。通常情况下，半导体厂商在内存和闪存工艺上并不透露具体数字，通常只会使用20nm级别的描述，常...
三星电子今日宣布，已开始批量生产全球领先的DDR3内存芯片，这些芯片采用了全新的20纳米制造工艺。
通常情况下，半导体公司对于内存和闪存技术的工艺进展并不会提供过于详细的数据，通常只用20nm级别等模糊表述，并用2x、2y、2z等符号来表示不同的技术水平。不过，这次三星明确指出是“20纳米工艺技术”，也就是说确实是在20nm的水平。
三星指出，DRAM内存中，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成，用于与其他单元连接，这与只需一个晶体管的NAND闪存单元不同，因此在制造工艺上要更加复杂。为了克服这一挑战，三星对设计及生产技术进行了重大的调整，采用了改进的双重曝光、原子层沉积（ALD）技术，同时结合了现有的浸没式ArF光刻等先进工艺。
三星称，这一技术突破为未来向1xnm工艺的进步奠定了坚实的基础，并可能进一步提高DDR4的生产能力。
新的三星20nm DDR3内存颗粒具有4Gb(512MB)的容量，其生产效率相比于25nm DDR3提高了超过30％，是3xnm DDR3的两倍，同时在同样容量下，其功耗可较25nm DDR3节省最多25％。
根据Gartner的调研，2013年全球DRAM内存市场的总价值约为356亿美元，而预计在2014年将增长至379亿美元。
