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疯狂的三星：推出32层堆叠存储技术！
发布时间：2014年05月29日 13:43:28 三星 人已围观
简介三星电子在2013年8月推出全球首款采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。近日，三星发布第二代闪存，堆叠层数达到32层，相比第一代的24层增加了三分之一，进一步提升了存储性能和技术...
2013年8月，三星电子宣布开始批量生产全球首个采用3D垂直结构的NAND闪存产品“V-NAND”。如今，三星推出了第二代，该款闪存的堆叠层数达到了32层，比首代增加了三层，提升幅度达33%。
此外，三星还发布了一系列基于这种新型闪存技术的固态硬盘，提供128GB、256GB、512GB和1TB等多种容量选择，适用范围已从数据中心扩展至高端个人计算机市场。
三星指出，与常规的2D平面闪存相比，新款3D闪存在写入寿命上可增加约一倍，同时功耗降低达20%。
多层堆叠设计的主要优势在于能提升单个闪存芯片的存储容量，从而减少整块硬盘所需的芯片数量，但三星尚未透露当前单颗闪存可以达到的最大容量，去年是16GB。
三星表示，预计在今年晚些时候将推出更多尺寸更大、可靠性更强的3D闪存固态硬盘。
