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三星850 EVO首次评测：3D TLC闪存性能如何？
发布时间：2014年12月08日 14:00:32 三星 人已围观
简介三星凭借强大的工厂资源，率先将TLC闪存投入实际应用，推出了840和840 EVO两代性价比优秀的产品。现在，第三代“850 EVO”发布，首次采用了3D V-NAND堆叠技术，进一步提升了产品性能。...
依靠强大的生产能力，三星首次将TLC闪存技术投入应用，并陆续推出了840和840 EVO两代产品，均以其高性价比而受到极大赞赏。如今，第三代产品“850 EVO”已经上市，首次采用了3D V-NAND堆叠的TLC技术。
这种闪存类型自问世以来就颇具争议，虽然三位的TLC在成本上更具优势，但相较于单层SLC和双层MLC，其寿命明显较短，性能表现也稍显不足。
虽然从理论和实际应用上看，TLC足以满足日常使用需求，但用户对其长期的可靠性仍心存疑虑。
近期，iPhone 6部分型号使用了TLC闪存并出现了一些故障，引发了广泛的质疑。同时，840 EVO和840系列也曾遭遇旧数据读取速度下降的问题，尽管三星坚决否认与TLC有关，但实际效果让人难以信服。
另一方面，三星也是最早投入3D堆叠闪存技术的厂商，目前已发展至第二代。
850 EVO是3D和TLC技术的首次结合，堆叠了多达32层，到底能带来怎样的表现？日本网站4Gamer抢先进行了评测。
【850 EVO规格详细介绍】
850 EVO仍采用传统的SATA 6Gbps 2.5寸规格，厚度仅为6.8毫米，提供120GB、250GB、500GB、1TB四种容量选择，配备256MB-1GB的缓存，支持AES 256-bit和TCG Opal 2.0的安全技术，平均故障间隔时间达到150万小时，终身数据写入量为75-150TB，相比于210/250GB版本的44TB有了显著提升。
不过关于闪存颗粒的具体工艺尚未透露。
在性能上，850 EVO的连续读取和写入速度均可达到540MB/s和520MB/s，而随机读写则可达到94000-98000 IOPS和88000-90000 IOPS。对于2.5寸硬盘来说，这一表现是相当不错的，尤其是对于TLC而言，已经相当接近MLC的水平。
主控方面，120-500GB版本采用了最新的MGX控制器，特别优化了低容量下的随机性能，而1TB版本则使用上代的MEX，后者的功耗略高。
根据三星提供的数据，同容量的850 EVO在随机写入性能上确实比840 EVO有明显提升，即使是使用相同主控的1TB版也加快了，队列深度为1时提升21％，而队列深度为32的120GB版本则实现了1.5倍的加速！
840 EVO引入的“TurboWrite”写入加速技术也得以传承，通过将TLC模拟为高速的SLC来提升性能，而现在声称比之前更强，尤其在持续写入时可以提高7-19％的速度。