三星推出mSATA/M.2 850 EVO：再次引入3D闪存技术

尽管东芝/闪迪和英特尔/美光都推出了先进的第二代3D堆叠闪存技术，但在这一领域，三星电子无疑处于领先地位，早已将其第二代3D V-NAND闪存应用于850 EVO和850 Pro这两款产品中。

这两款产品都是2.5英寸规格，对于轻薄笔记本及迷你PC来说显得过于笨重。因此，三星进一步推动创新，推出了两种迷你规格的新款850 EVO，包括mSATA和M.2。

前一代的840 EVO仅具备mSATA接口，但M.2接口的灵活性和强大，尤其是对高速PCI-E通道的支持，使其逐渐取代mSATA，未来前景广阔。

除了体积更小外，mSATA/M.2版本的850 EVO在规格上几乎与2.5英寸型号相同，均采用三星MGX主控制器（仅1TB版本使用较旧的MEX型号）、三星40nm 32层堆叠的128Gb（16GB）TLC V-NAND闪存颗粒、TurboWrite缓存加速技术、以及功耗仅为2毫瓦（1TB 4毫瓦）的DevSleep深度休眠技术和AES-256/TCG Opal 2.0/eDrive加密技术。

mSATA版本提供120GB、250GB、500GB以及1TB的容量，其中前两款的缓存为512MB，最大容量为1GB。前两款支持每日写入41GB，使用寿命为75TB，而后两款则提升至每日82GB和150TB。

在性能方面，各容量型号表现一致：连续读写速度为540MB/s和520MB/s，QD1 4KB随机读写分别为10000 IOPS和40000 IOPS，QD32 4KB随机读写则达到95000 IOPS和88000 IOPS。

其功耗方面，读取时为3.5W，写入时为4.3W。

M.2 2280版本的容量包括120GB、250GB和500GB，缓存均为512MB，读写寿命与mSATA版本一致。

未提供1TB的原因在于三星采用了单面设计(更适合于轻薄笔记本)，仅能容纳两颗闪存。在业内，三星的这种16 Die封装技术是独一无二的。东芝虽然有类似技术，但良品率极低，导致成本高达每GB 1美元，是普通产品的三倍以上。而美光的相关技术尚未正式发布。

不同容量的性能表现相同：持续读速540MB/s和500MB/s，QD1 4KB随机读写为10000 IOPS和40000 IOPS，QD32 4KB随机读写则分别为97000 IOPS和89000 IOPS。

尽管如此，尽管该产品使用M.2接口，但仍然走的是SATA 6Gbps通道，因此性能提升空间有限，这无疑是一个遗憾。三星目前没有透露是否会推出PCI-E版本。