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三星14nm工艺揭秘：神奇的三维晶体管！
发布时间：2015年04月07日 16:30:24 三星 人已围观
简介ChipWorks对Galaxy S6的芯片进行了分析，发现其处理器Exynos 7420是全球首款采用14nm FinFET工艺量产的处理器。FinFET是一种多闸极晶体管技术，能够显著提升性能和能效。这种先进工艺的应用标...
在ChipWorks对Galaxy S6的各个芯片组件进行了研究后，开始关注微观层面，因为其处理器Exynos 7420是全球首个批量生产的14nm FinFET工艺处理器。
FinFET是一种多闸极晶体管技术，将导电通道包裹在硅鳍片中，简而言之，就是在晶体管中应用3D结构堆叠技术（当前多数半导体技术都采取了这种方案）。Intel首次在22nm工艺中实现了该技术的商业化，并赋予其一个独特的名称“三栅极晶体管”，而其他厂商则普遍称其为FinFET。值得注意的是，FinFET技术并不依赖于栅极的数量，Intel算是一个例外。
目前FinFET技术的竞争主要集中在台积电的16nm与三星的14nm之间，后者已在量产方面取得领先，并与GlobalFoundries建立了战略合作关系。
Exynos 7420的内核剖面图：可以清晰地看到使用了11层金属。
晶体管特写：确实包含FinFET结构！该视角与鳍片（fin）平行，并与栅极（gate）垂直，接触点（contact）的底部正好在鳍片顶部边缘附近。可以观察到，栅极被折叠并深入鳍片内部，深度超过接触点。这正是FinFET技术的典型特点。
借此机会，三星成为第二家实现立体晶体管技术量产的厂商，并成功传承了在其20nm工艺下的后栅极、高K和金属栅极技术。
更多深入分析请稍候……