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三星10nm技术震撼业界：Intel与台积电感到压力
发布时间：2015年05月26日 18:51:05 三星 人已围观
简介三星在14nm FinFET工艺节点上率先成功后，计划于2016年底启动10nm FinFET的量产。与此同时，台积电也宣布将在同一时间实现10nm FinFET的量产，预示着两大巨头之间将展开激烈竞争。...
在成功跃进14nm FinFET工艺之后，三星已将目光转向下一个10nm FinFET技术，并宣布将在2016年底开始量产。
有趣的是，台积电也计划在同一时期推出自己的10nm FinFET，这将再一次引发激烈的竞争。目前，台积电的16nm FinFET工艺刚刚开始量产，仍落后于三星。
三星代工部门的高级副总裁Hong Hao指出，其10nm工艺将展现出“显著的功耗、面积和性能优势”，适合多种应用领域。
国际商业策略公司首席执行官Handel Jones则评价道：“这是半导体行业近年来最大的技术跳跃，标志着三星设定了极具挑战性的目标。尽管可能无法完全实现，但必然非常接近。如果三星能顺利应对10nm技术，将会引发强烈反响。”
英特尔也计划在2016年第三季度左右实现10nm技术，推出其下一代处理器Cannonlake，主要面向桌面及服务器市场。
有趣的是，苹果有望再次在10nm工艺的推广中发挥关键作用，因为他们每月大约需要4万块晶圆。预计iPhone 6S或iPhone 7将会使用由三星14nm工艺制造的A9处理器，而谁将赢得苹果的青睐，10nm技术的竞争将愈加激烈。
这是新曝光的三星10nm FinFET晶圆，然而三星暂时未公布其具体规格。