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三星启动量产顶级3D闪存：MLC芯片受到赞誉
发布时间：2015年08月11日 09:26:49 三星 人已围观
简介在3D闪存领域，三星相继推出了24层和32层的立体堆叠闪存，成功应用于850 EVO和850 Pro等固态硬盘。然而，东芝意外地率先推出了全球首个48层堆叠、单Die容量为256Gb的闪存，打破了市场格...
在3D闪存技术方面，三星已经推出了两代立体堆叠闪存，分别为24层和32层，已在850 EVO、850 Pro等多款SSD产品中得到了应用。
令人意想不到的是，全球首款48层堆叠、单颗芯片容量256Gb的产品却被东芝抢先推出。
不过，三星并没有示弱，今天正式宣布其首款可用于SSD的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片已实现量产。这是其第三代产品。
从表面上看，三星的“诚意”（忽略价格因素）体现在MLC颗粒和生产能力上，因为东芝声称他们已经准备好进入量产阶段，而三星则表示在保持现有设备的基础上，第三代的生产效率提升了40%！
与传统的128Gb NAND相比，三星此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片实现了密度的翻倍。除了单片可支持存储容量高达32GB（256Gb）外，这一新芯片还能够轻易将现有SSD的存储容量提升至TB级别，这正是三星的强项。
据悉，新一代V-NAND闪存采用了相同的3D Charge Trap Flash（CTF）结构设计，每片芯片的存储单元阵列垂直堆叠了48层，借助独特的蚀刻技术，利用18亿个通道孔实现电子互连。每个芯片包含853亿个存储单元，每个存储单元容量为3bit，总共可以存储25.6亿位的数据，换句话说，一个不超过手指尖大小的芯片能够存储256Gb数据。
相比于32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存，当存储相同容量的数据时，48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存的功耗能降低30% 。
当然，这款产品主要面向企业和数据中心市场，消费者是无法接触到的。