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三星推出新款850 EVO：采用三代技术，速度居行业领先
发布时间：2015年09月22日 17:11:19 三星 人已围观
简介据韩联社报道，三星近日发布五款全新SSD产品，其中包括950 PRO和首款第三代V-NAND的850 EVO。三星于8月宣布开始量产第三代V-NAND，具体为48层3bit MLC技术。...
根据最新消息，三星今日一次性推出了五款全新的SSD产品，其中包括我们之前提到的950 PRO，以及其首款搭载第三代V-NAND的850 EVO。
实际上，三星在8月份才刚刚宣布开始量产其第三代V-NAND，具体而言是48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片，没想到他们如此迅速便推出了成品。
首发的850 EVO提供了三种存储容量，分别为1TB、500GB和256GB。
存储容量的大幅提升，关键在于每个芯片支持高达32GB（256Gb）的存储容量。三星的实现技术相对简单，所有存储单元均采用相同的3D Charge Trap Flash（简称CTF）结构设计，芯片上的存储单元阵列垂直堆叠达48层，并通过独特的蚀刻技术在阵列上开设18亿个通道孔，让电子实现互连。每个芯片约含有853亿个存储单元，每个单元能够存储3bit，总共可存储256Gb的数据。
尽管在48层技术的推出上，三星晚于东芝，但其已经率先推出了成品，而东芝目前仅是宣布准备开始大规模生产。
目前这款产品的详细参数尚未公布，然而三星表示，这将是业界最快（在SSD发展迅速的背景下）、极为节能的，并且本月将在全球50多个国家上市，中国市场也包括其中。
