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三星推出全球首款单条128GB 3D DDR4内存，正式进入量产阶段
发布时间：2015年11月26日 15:10:01 三星 人已围观
简介采用3D TSV立体硅穿孔封装技术，2014年8月底，三星电子实现量产全球首款64GB DDR4内存条。随后的18个月内，三星将这一容量提升至128GB，继续推向市场，展示了其在内存技术领域的创新能...
2014年8月底，三星电子宣布开始量产全球首款基于3D TSV立体硅穿孔封装技术的DDR4内存条，其单条容量达到64GB。
一年多后，三星将这一单条容量提高到128GB，正式启动128GB TSV DDR4内存条的量产。
新一代内存条依然定位于企业级服务器市场，属于RDIMM类别，采用了多达144颗DDR4内芯片，每颗容量为8Gb（1GB），并以TSV技术将每组四颗芯片紧密封装，总共形成36组，均匀分布在内存条的两侧。
其制造工艺采用了三星最先进的20nm工艺，起始频率为2400MHz，未来将逐步提升至2667MHz和3200MHz。
此外，三星还计划将TSV硅穿孔技术应用于HBM高带宽内存。
