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台积电发布7nm技术：三星与Intel面临危机
发布时间：2015年12月04日 17:45:28 三星 人已围观
简介上月中旬，韩媒报道称三星已成功研发出全球首个基于10nm FinFET工艺的静态随机存取存储器(SRAM)，标志着该工艺走向成熟的重要进展。SRAM比常见的动态随机存取存储器(DRAM)速度更快，广...
上月中旬，韩国媒体传出消息称，三星已成功研发全球首款基于10nm FinFET工艺的SRAM，这标志着其技术走向成熟的重要一步。
SRAM，即静态随机存取存储器，相较于我们熟知的DRAM（动态随机存取存储器）更加迅速，常用于CPU缓存等领域，同时也是新工艺研发和测试的重要基础。
就在三星信心满满之际，台积电却发出了不利的消息。
据悉，台积电在其第十五届供应链管理论坛上，台积电总经理及联合CEO刘德音透露，他们已经实现了7nm SRAM的生产，并确认10nm将在2016年初开始试生产，而7nm则预计在2017年第一季度试产。
因此，我们再来梳理一下三大半导体巨头在10nm制程量产方面的最新动态——
英特尔：2017年下半年
三星：2016年底至2017年初
台积电：2016年底至2017年初
报道称，台积电对此感到非常兴奋，因为他们终于在技术上超越了英特尔。同时，他们也顺势提到5nm工艺的规划。
然而，分析师指出，10nm制程的关键在于极紫外光（EUV）微影技术取代了传统的纯硅方法，而这一设备的主要制造商为荷兰的阿斯麦（ASML）。
