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三星发布第二代10nm工艺，令英特尔感到压力。
发布时间：2016年04月21日 14:52:45 三星 人已围观
简介三星宣布将在今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺，此举是在美国硅谷与多家半导体公司会晤时提出的。同时，三星也在介绍其已有的14nm工艺。第二代10nm技术的推出备受关注，也...
根据recode的报道，三星本周宣布将于今年晚些时候开始量产第二代10纳米芯片工艺。
事件的背景是，三星近期在美国硅谷与多家半导体企业进行了会谈，向他们介绍了其14纳米工艺。关于第二代10纳米的概念，有媒体评论认为这是14纳米 FinFET+，即10纳米级，也有观点认为确实是10纳米。但根据三星所称的整体效能提高10%来看，前者的看法似乎更具可信度。
实际上，目前14纳米 FinFET+技术已经应用于骁龙820和三星Exynos 8890等产品。三星希望通过展示新制程的优势来吸引更多的半导体客户。此外，三星在内存DRAM颗粒方面也已成为全球首家完成10纳米级布局的公司，其18纳米的生产线在本月初投入使用。
至于竞争对手方面，台积电则持续重申将于今年投产10纳米（即真正的10纳米），而14纳米领域起步更早的Intel则确认将推迟到明年。
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