芯片巨头角逐7nm技术，AMD从中受益

2016年，半导体行业的主流技术是14/16nm FinFET工艺，主要由Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格罗方德）主导。接下来的技术节点是10nm，三家公司计划在明年实现量产，然而10nm工艺主要是针对低功耗移动芯片，真正的高性能工艺则是7nm，这一节点不仅是首次突破10nm的界限，也是三方竞争的焦点，TSMC和三星都准备争取首发。而此前缺席的GlobalFoundries这次重返竞争，决心在7nm工艺上取得领先。

IBM与GlobalFoundries去年率先展示了7nm工艺的技术进展

在7nm技术节点方面，Intel采取了相对保守的态度，预计其14nm和10nm工艺将深入发展三代，而7nm工艺则要拖至2020年。然而，TSMC与三星的进展明显更为积极，三星最近斥资引进EUV光刻机，计划明年开始试产7nm工艺；TSMC的联合CEO刘德音也表示，7nm工艺的SRAM良率已达到30-40%，这意味着TSMC有望成为首个通过7nm工艺认证的半导体公司。

除了这三大公司，还有一家公司值得关注——从AMD的半导体业务中分离出来的GlobalFoundries（格罗方德）。尽管称作AMD的GF，但他们与AMD之间的关系已不再密切，AMD的股份已全部售出，双方的关系更趋向于普通的代工合作。

虽然GlobalFoundries在技术发展上经历了一些波折，但在14nm节点上他们果断放弃自研，转而选择三星的14nm FinFET技术授权，现在已步入正轨。他们显然不满足于现状，2014年收购了IBM的晶圆厂业务——该交易中，IBM不仅没有收取资金，还提供了15亿美元的补贴。

通过这项收购，GlobalFoundries获得了大量经验丰富的员工，这对新工艺的研发将极有帮助。去年7月，GlobalFoundries与IBM、三星及纽约州立大学共同宣布推出了7nm工艺，并力图在新的工艺技术上占据优势。

最近，GlobalFoundries的首席技术官、高级副总裁Gary Patton透露了他们的7nm工艺进展，表示已大幅缩小了新工艺的栅极间距（pitch），这一指标是衡量技术水平的关键，数值越小越具优势。

Patton提到，目前他们在纽约州马耳他市的晶圆厂已在量产14nm工艺，这为更先进工艺的发展奠定了良好基础。

关于7nm工艺，Patton称即使不依赖EUV技术，他们的新工艺也能够降低晶圆的成本。

根据Patton的预测，EUV工艺有望在2020年实现量产，2018/2019年可能会有少量生产。

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