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东芝推出64层3D闪存，超越三星的48层技术
发布时间：2016年07月18日 22:12:22 三星 人已围观
简介三星的3D V-NAND立体堆叠闪存在行业内备受认可，目前已达到48层的技术水平。与此同时，据《日经亚洲评论》报道，东芝正在研发64层的NAND闪存，这一层级比三星的技术多出三分之一。东...
三星的3D V-NAND立体堆叠闪存因其行业领先的技术而闻名，现已成功堆叠到令人印象深刻的48层。然而，有消息称，东芝正在积极研发更高达64层的NAND闪存，超出三星的技术水平三分之一！
在7月15日，东芝在日本三重县的四日市半导体第二厂举行了启用仪式，公布将在此基地生产48层的堆叠闪存，并预计在2016财年内实现量产（截止到2017年3月底）。
尽管这种闪存的制造成本和售价相对较高，但由于其容量的提升，整体平均价将更具竞争力。它的应用范围广泛，涵盖从智能手机、固态硬盘到数据中心，初期将主要满足数据中心持续增长的需求。
事实上，东芝在今年春季已开始生产48层的闪存，并预计到2017财年，3D闪存的产量将占其整体生产能力的50％，到了2018财年，这一比例将会超过80％。
而三星预计将在2017年下半年启用位于韩国京畿道平泽市的新生产设施，以便生产自家的64层闪存，但官方尚未做出正式确认。
