您现在的位置是：主页 > 手机快讯 > 三星 >
三星、高通、GF在韩国面临FinFET专利侵权指控
发布时间：2016年12月02日 09:38:03 三星 人已围观
简介三星不仅是知名智能手机制造商，还作为全球重要的半导体公司在2016年位于TOP20半导体公司营收排名第二，仅次于Intel，超越TSMC台积电。在FinFET代工技术方面，三星率先实现14nm FinFET工艺...
除了以智能手机而闻名，三星还是全球主要的半导体企业。在2016年全球TOP20半导体公司中，其营收位列第二，仅次于Intel，超越了TSMC台积电。
在FinFET代工技术上，三星比TSMC率先实现了14nm FinFET工艺的量产。该工艺不仅用来为高通制造骁龙820/821处理器，还授权给了AMD的合作伙伴GlobalFoundries。
三星为何能在FinFET技术上占据先机？TSMC曾指控三星盗用了其工艺技术，而韩国科学与技术学院（KAIST）现已将三星告上法庭，指控其侵犯了KAIST的FinFET相关专利，此外，高通和GlobalFoundries也被共同起诉。
尽管KAIST（韩国科学与技术学院）不被普通人所熟知，但它在去年提交的美国专利申请中名列非美国院校第二，共计申请了105项专利，排名第一的是中国的清华大学，申请了185项专利。KAIST在科研领域内拥有相当的实力，此次他们通过其专利管理子公司KAIST IP，在美国德州的联邦法院提起诉讼，指控三星、GF和高通侵犯其编号为6885055的美国专利——一种双栅极FinFET装置及其制造工艺。
KAIST表示，该项技术由在2001年任职于韩国圆光大学的教授Lee Jong-ho提出。起初，三星对FinFET工艺并不感兴趣，但在Intel推出相关的3D晶体管技术后，三星邀请Lee教授为其工程师进行讲座，从而获得了该项专利技术。
KASIT IP指出，三星未经授权使用了Lee教授的技术，节省了大量的开发时间和开支，却未支付任何专利费用。他们批评三星持续侵犯该技术，没有考虑Lee教授的权益或合适的补偿。
值得注意的是，三星的14nm FinFET工艺不仅被自身使用，还授权给了GlobalFoundries，并为高通提供处理器代工服务，因此这两家公司也被一并起诉。
对此指控，三星公司表示正在对这些指控进行调查，并强调他们从2000年代初便开始研究3D半导体技术，持有与FinFET相关的专利。
补充：之前，TSMC曾指控三星挖走其前研发主管Liang Mong-song，认为后者带着技术资料跳槽，认为三星在14nm FinFET工艺上的迅速进展是得益于TSMC的技术，但TSMC与三星之间只是在口头上争吵，未曾提起诉讼。而KAIST则明显是准备充分，直接向法院提起了诉讼。
另外，FinFET技术的创始人胡正明教授究竟申请了多少专利，目前尚不清楚。
Tags：