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三星启动全球最大芯片制造工厂：量产领先的64层3D闪存技术
发布时间：2017年04月12日 15:51:01 三星 人已围观
简介三星作为全球最大的NAND闪存芯片制造商，计划加大投资以扩大规模和市场份额。根据韩国媒体的报道，三星将在7月开始运营位于京畿道平泽市的新半导体工厂，进一步增强其全球竞争力...
三星目前是全球最大的NAND闪存芯片生产商，为了进一步提升产能和市场份额，公司将计划增加投资。
据韩国媒体报道，从7月份起，三星将在位于京畿道平泽的新半导体厂投入运营。这座工厂是全球最大的芯片制造基地，占地面积达到289万平方米，将在此生产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片的垂直堆叠层数达到64层。
新厂自2015年开工建设，投资额达15.6万亿韩元（约136亿美元）。平面和垂直NAND闪存芯片的总月产量预计将达到45万片晶圆，3D NAND闪存芯片预计将占到一半以上。
根据IHS Markit的报告，三星在NAND闪存市场的市场份额从2015年的32%提升到了36.1%。
三星的第四代垂直NAND（V-NAND）芯片单个晶粒（DIE）容量为512Gb（64GB），其单个晶粒的数据传输速率可达100MB/S。
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