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三星突破10nm技术极限，Intel和台积电感到压力山大
发布时间：2015年11月18日 20:44:56 三星 人已围观
简介三星电子已成功开发出全球首个基于10nm FinFET工艺的SRAM，标志着该新工艺的重大进展。与此相比，Intel和台积电仍在14nm和16nm的阶段。这一开发为未来更高效的芯片设计奠定了基础，显示...
据新标360快讯报道，三星电子已成功研发出全球首个基于10nm FinFET技术的SRAM，这标志着新工艺向成熟迈出了关键一步。相比之下，Intel和台积电仍在14nm和16nm节点上徘徊。
SRAM，即静态随机存取存储器，其速度相比于我们熟知的DRAM（动态随机存取存储器）更快，通常用作CPU的缓存，并且是新工艺研发和测试的必经之路。
在提交给2016年国际固态电路大会（ISSCC 2016）的论文中，三星透露，其10nm SRAM的容量达128MB，单元面积仅为0.040平方微米，相较于自家的14nm SRAM（0.064平方微米）缩小了37.5％。
三星指出，这项新工艺在尽可能小的面积内实现了大容量缓存，预计将显著减小14nm手机处理器的体积，并提升其性能。
一位行业专家表示：“三星是全球首家也是唯一一家宣布成功开发10nm SRAM的企业，预计将以比Intel更快的速度进入量产阶段。”
由于制造成本的原因，Intel的10nm工艺已推迟至2017年，而三星计划在2016年底完成10nm的商业化，正好赶上后年初推出的Galaxy S8。
台积电则表示计划在2016年底启动10nm的试产，量产则要等到2017年上半年。
此外，三星还研发了业界首个14nm平面型NAND闪存，其浮动栅极面积相比16nm缩小了约12.5%。而东芝和美光等厂商则在15/16nm之后决定放弃平面型闪存工艺。
