您现在的位置是：主页 > 科技圈快讯 > 图文 >
了解三星多种制造工艺：一图解析14/10/11/8/7/6/5/4/3nm技术差异
发布时间：2019年05月20日 15:39:03 图文 人已围观
简介在美国SFF晶圆代工论坛上，三星发布了新一代逻辑工艺路线图，计划于2021年实现3nm工艺量产，并首发采用新型GAA晶体管工艺。这一发展使三星在技术上领先竞争对手台积电一年，较Int...
在上周举行的美国SFF晶圆代工论坛上，三星公布了其下一代逻辑工艺路线图，计划在2021年启动3nm工艺的量产，此次将率先采用新一代的GAA晶体管技术，领先于竞争对手台积电一年，并领先Intel至少两到三年。
除了3nm工艺，三星还为未来推出了多种其他工艺覆盖范围，从14nm、10nm到每一个数字节点，都已完成布局，更有向3nm以下的2nm甚至1nm工艺的进军，意在突破半导体物理极限。
不过，这也引发了人们对三星制程工艺的困惑。例如，高通的骁龙系列处理器中，采用三星代工的型号里，既有10nm、11nm和8nm工艺，未来可能还会出现6nm、5nm等，这些不同工艺之间究竟有何区别呢？
Cacdence公司的博主保罗·麦克莱伦最近在其官方博客中发布了关于三星工艺的分析，并通过一幅简洁明了的图表总结了其当前的制程技术，详见下图：
三星的工艺实际上可分为四个主要节点，分别是14nm、10nm、7nm和3nm，每个节点下又有多个不同的衍生版本。以14nm节点为例，包括14nm LPE、14nm LPP、14nm LPC、14nm LPU以及11nm LPP版本，而10nm节点则包含10nm LPE、10nm LPP、8nm LPP、8nm LPU及正在研发的版本。
在7nm节点中，三星决定跳过低功耗的LPE版本，直接推进7nm LPP（并结合EUV光刻技术）、6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE等衍生版本。
3nm节点的变革性进展则在于，三星将不再使用FinFET技术，转向GAA晶体管设计，其中第一代为3GAE工艺，并存在优化版本3GAP，未来还会持续进行改进。
三星各个工艺的发布和量产时间有所不同，7nm EUV工艺已于今年四月开始量产，预计下半年推出6nm工艺，5nm工艺在四月已经完成开发，并将于下半年首次进行流片，计划2020年实现量产。
4nm工艺预计在今年下半年完成开发，而3nm GAE工艺已发布1.0版PDK，预期将在2021年进行量产。
