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以下标题可供参考：硬盘技术再突破！核心采用 90nm 工艺
发布时间：2005年11月28日 22:41:00 硬盘 人已围观
简介Infineon 开始供应采用 90nm 制程的硬盘读取通道 CMOS 核心，可提高数据传输率、降低功耗和芯片体积，其 PLL 速度达 3.6GHz。...
INQ 消息——Infineon 宣称，其已开始为硬盘制造商提供采用 90nm 工艺的硬盘读取通道 CMOS 核心，此举可有效提升数据传输率，减少功耗并缩小芯片体积。
该新型硬盘读取核心的 PLL 速度可达 3.6GHz，前端信号通道的最高传输速度为 2.7Gb/s。
新技术还将支持垂直记录技术，可提供更高的信噪比，有助于高密度存储产品的研发，将应用于超级功耗、移动、桌面和企业硬盘产品中。
新的硬盘读取核心芯片可在全球任何具备 90nm 制程技术的工厂生产，如 UMC 以及 Infineon 自家的 Dresden 工厂。
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