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富士通取得新突破，迈向 Tb 级存储密度！
发布时间：2006年11月30日 14:16:00 硬盘 人已围观
简介硬盘存储容量高速发展，得益于厂商技术进步，垂直记录技术是当前热门，如何在其无法满足后继续提升容量成为厂商研发重点。...
硬盘存储容量的发展可谓日新月异，这背后离不开各大厂商技术的不断进步。当前，垂直记录技术备受业界关注，而在其无法满足需求后，如何进一步提升硬盘容量则成为了各大厂商的研发重点。希捷这个全球领先的厂商，热衷于热辅助磁记录技术（HAMR），富士通则将目标锁定在 TAMR（Thermal Assisted Magnetic Recording）上。明眼人都知道，这两者其实是一回事。28 日，富士通宣布在该项技术上取得了新的突破。
据其宣称，他们成功研发出了一款激光器产品，能够将写入点定位在 100nm 以下。热辅助磁记录技术利用激光作为辅助写入介质，在写入时通过激光照射写入点，借助产生的热能辅助磁头写入，这样磁头就不需要太强的磁场。而数据的存储和读取操作则在常温下进行，由于采用了高矫顽力的记录介质，磁盘的存储密度和数据稳定性都将得到显著提升。
热辅助磁记录技术中的激光是一个难题，若要达到 1Tbit/平方英寸的存储密度，每个 bit 所占用的面积将为 25nm2，如此小的面积需要相应的细光束，普通激光难以实现。然而，富士通的新型激光器可以在 88nmx60nm 的面积上聚焦，同时保持 17%的光学效率。富士通声称，这是业界首款能够实现 100nm 以下定位的多层光学元件。
富士通在日本举办的光学存储技术座谈会上展示了这一光学元件，至此，其已掌握热辅助磁记录技术的所有关键元件，将向 Tb/in2 的存储密度发起冲击。
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