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TLC闪存使用寿命再分析：仅限1000次擦写循环
发布时间：2012年11月19日 10:09:10 硬盘测评 人已围观
简介三星840系列固态硬盘标志着消费级产品中首次使用TLC NAND闪存，开启了新的时代。文章深入探讨了TLC闪存的原理、架构技术以及相应的性能和可靠性，提供了对这种新型闪存的全面理解。...
三星840系列固态硬盘标志着一个新的时代，首次在消费级产品中引入了TLC NAND闪存。我们此前已详细探讨了这种闪存的原理、结构技术以及三星840的性能与可靠性。今天，我们将关注TLC闪存本身的寿命问题。
可惜的是，没有任何厂商对TLC闪存的可靠性进行公开说明，推测其编程/擦写循环（P/E）次数大约为1000-1500次，而20/25nm MLC约为3000次。同时，三星不像英特尔那样提供具体的闪存写入量，加上写入放大的影响，使得我们难以了解实际写入了多少数据。
然而，有一种替代方法可以尝试：对写入队列深度为1的不可压缩128KB持续数据进行测试，计算每次测试的损耗均衡计数（WLC，类似于英特尔的MWC媒体损耗指示器）。通过已知的平均写入速度和测试持续时间，可以大致推算出写入数据的总量。另外，由于较大块数据是连续写入的，因此碎片化问题几乎不存在，写入放大系数大致接近1x。
我们以一块三星840 250GB的固态硬盘进行测试，获得的结果如下：
－ 写入数据总量：92623GB
－ WLC消耗量：34
－ 估算P/E总次数：1064次
－ 估算可写入总数据量：272420GB
这意味着TLC NAND闪存的编程/擦写循环数量确实只有大约1000次，250GB的固态硬盘终生可写入的数据量约为270TB。
当然，当WLC达到零之后，三星840仍可能继续运作，最多可以再使用20-30%的时间，但前提是它的表现与Intel MWI相似。
虽然1000次的编程/擦写循环听起来不算理想，但对于普通用户而言并没有想象中可怕。一般用户平均每日的写入量通常不会超过10GB，假设写入放大系数为3，对于128GB和256GB的MLC固态硬盘而言，其总体使用寿命大约为35.0年和70.1年，而同容量的TLC硬盘寿命则为11.7年和23.4年。
即使每日写入量达到30GB，256GB的TLC硬盘也能支撑7.8年，这足够日常使用了吧？
此外，所有S.M.A.R.T.属性的显示通常比较保守，因此即使WMI与WLC都达到零，你的硬盘也不会立刻停止工作。例如，在著名玩家论坛XtremeSystem上，有一块三星830 256GB固态硬盘，累计写入量接近6000TB，而WLC早在828TB时就显示为零，实际使用寿命达到了理论值的七倍多！
Tags： 固态硬盘
