您现在的位置是：主页 > 硬件测评 > 硬盘测评 >
三星3D闪存的强大之处：可使用长达280年！
发布时间：2014年07月08日 18:59:09 硬盘测评 人已围观
简介半导体技术正迈入立体堆叠时代，CPU、DRAM、GPU和NAND闪存均开始向3D发展。三星的3D V-NAND闪存已进化至第二代，并近期发布了首款面向消费级市场的立体存储设备。这一趋势标志着存储技...
半导体技术正逐步迈入立体堆叠的新时代，CPU处理器、DRAM内存、GPU显存及NAND闪存均已逐渐向3D架构转型。其中，三星的3D V-NAND立体闪存已发展至第二代，并于近期推出了首款面向消费者的立体闪存固态硬盘850 Pro。
尽管其依然采用2.5寸的SATA 6Gbps标准，性能提升空间相对有限，不过三星宣称V-NAND立体闪存在显著增加容量密度的同时，也大幅延长了使用寿命，最高可达到2D平面闪存的十倍。然而，奇怪的是，850 Pro的最大数据写入量仅为150TB，约为840 Pro的两倍。
这真是如此显著吗？AnandTech最近对此进行了详细的分析。
首先，我们来看与固态硬盘耐用性相关的一些概念：
编程/擦写循环(P/E Cycle)：闪存寿命的关键参数，耗尽后将不可再用，具体数量取决于闪存颗粒与工艺，通常情况下SLC>MLC>TLC，并且工艺越高级可用次数越少。
损耗均衡技术(WLC)：S.M.A.R.T.属性中的一种指标，初始值为100，随着使用逐渐降低，最终会变为0，虽然此时设备仍可继续使用一段时间（符合JEDEC标准在一年内保持数据），但其可靠性会下降。
写入放大系数(WAF)：闪存实际写入量与主控写入量的比值，越小越好。
【P/E次数计算】
为了计算850 Pro 3D闪存的P/E值，需要向固态硬盘写入队列深度为1的128KB持续数据，并记录每次测试后的S.M.A.R.T. WLC数值与写入量，经过十几次重复测试即可推算出总的P/E。
结果表明，经过60次P/E后，WLC数值减少1，因此850 Pro的总寿命大约为6000 P/E，相当于目前2D MLC闪存的约两倍。
那么，十倍的说法从何而来？
1、三星可能夸大了其产品性能，实际并未达到十倍。
2、850 Pro上使用的3D闪存质量较低，更优质的版本留给了企业级产品。
3、三星故意设定850 Pro的寿命限制，以促使企业用户选择更高端的产品。
【数据写入量计算】
无论情况如何，现在我们可以算出850 Pro的整体写入量：
假设每天主控写入100GB，写入放大系数为3x，即便是128GB型号也能使用长达7年，而这种写入量远超一般用户的日常使用。
如果主控每天写入20GB，写入放大系数为1.5x，则1TB型号的使用寿命可达280年以上！
当然，150TB的限制是基于低放大系数的持续数据，这是一个理想化的情况，而高放大系数的随机数据无法维持如此长的使用时间。但三星表示，他们设置这个限制主要是为了避免850 Pro用于写入密集型的企业环境，普通用户则无需过于担忧。
