您现在的位置是：主页 > 硬件测评 > 硬盘测评 >
三星推出mSATA/M.2 850 EVO：新一代3D闪存再现
发布时间：2015年04月01日 22:17:07 硬盘测评 人已围观
简介尽管东芝/闪迪和Intel/美光宣布了先进的第二代3D堆叠闪存技术，三星电子在这一领域的进展更为迅速，其第二代3D V-NAND闪存已应用于850 EVO和850 Pro两款产品。这表明三星在闪存技术上处于...
尽管东芝/闪迪和Intel/美光都先后发布了出色的第二代3D堆叠闪存技术，但在这一领域，三星电子显然领先一步，他们的第二代3D V-NAND闪存早已应用于850 EVO和850 Pro两款产品。
然而，这两个产品都是2.5英寸规格，对于轻薄笔记本和迷你电脑来说稍显庞大，因此三星决定进一步发力，推出了mSATA和M.2两种迷你规格的新版本850 EVO。
上一代的840 EVO仅提供mSATA接口，但由于M.2规格提供了更高的灵活性，尤其是支持高速的PCI-E通道，因此其逐渐取代mSATA，前景广阔。
除了体积更小，mSATA/M.2 850 EVO的规格与2.5寸版本基本相同，配备三星MGX主控制器（1TB版本采用较老的MEX）、40nm 32层堆叠的128Gb(16GB) TLC V-NAND闪存颗粒、TurboWrite缓存技术，以及DevSleep深度休眠功能（功耗仅为2毫瓦/1TB为4毫瓦）、AES-256/TCG Opal 2.0/eDrive加密技术。
mSATA版本的容量选项为120GB、250GB、500GB和1TB，其中前面三款均配备512MB缓存，最后一款则为1GB。前两种支持每天写入41GB，使用寿命为75TB，而后两者则翻倍，分别为每天82GB和150TB的使用期限。
在性能方面，各容量的表现高度一致：持续读写速度达540MB/s和520MB/s，QD1 4KB随机读写表现为10000 IOPS和40000 IOPS，而QD32 4KB随机读写则为95000 IOPS和88000 IOPS。
功耗方面，读取时为3.5W，写入时为4.3W。
M.2 2280版本的容量为120GB、250GB和500GB，缓存均为512MB，读写寿命与mSATA版相同。
之所以没有1TB版本，是由于三星采用了单面设计（更适合轻薄笔记本），因此只能容纳两颗闪存芯片。三星的16 Die封装技术在业内是独步一时的，虽然东芝也有所尝试，但其良品率较低，导致成本飙升至1GB售价的三倍以上，而美光的相关技术仍处于研发阶段。
不同容量的性能表现仍然相同：持续读写速度为540MB/s和500MB/s，QD1 4KB随机读写为10000 IOPS和40000 IOPS，QD32 4KB随机读写则为97000 IOPS和89000 IOPS。
虽然采用M.2接口，但它依然使用SATA 6Gbps通道，因此性能上升空间有限，这无疑是个遗憾。目前三星尚未透露是否会推出支持PCI-E通道的版本。
功耗方面，读取功耗为2.4W，写入功耗为3.5W。
