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三星850 EVO首发评测：3D TLC闪存表现如何？
发布时间：2014年12月08日 14:00:32 硬盘测评 人已围观
简介三星凭借强大的工厂资源，率先将TLC闪存投入市场，成功推出840和840 EVO两代产品，受到消费者的欢迎。如今，第三代产品“850 EVO”正式面世，首次采用了3D V-NAND堆叠技术，进一步提升了...
凭借强大的生产能力，三星率先将TLC闪存投入市场，并成功推出了840和840 EVO这两代产品，它们都是性价比的优秀代表。如今，第三代“850 EVO”也来了，并首次应用了3D V-NAND堆叠的TLC技术。
这一闪存标准自发布以来就饱受争议，相较于单层的SLC和双层的MLC，三层的TLC在成本上有优势，但相对其寿命较短，性能也有限。
虽然从理论和实际使用来看，TLC对于日常需求是完全足够的，但用户对其长时间的稳定性还是始终心存疑虑。
近期，iPhone 6的部分型号也使用了TLC闪存，结果暴露出一些问题，导致质疑声此起彼伏。在此之前，840 EVO和840均出现了老数据读取速度下降的情况，尽管三星强调这与TLC无关，但消费者依然难以信服。
此外，三星也是首个投入3D闪存技术的厂商，目前已发展到第二代。
850 EVO是首次将3D及TLC两项技术结合，并堆叠了多达32层，究竟会带来怎样的表现呢？日本网站4Gamer已提前发布了对其的实测评估。
【850 EVO规格分析】
850 EVO依然采用传统的SATA 6Gbps 2.5寸接口，其厚度仅为6.8毫米，提供120GB、250GB、500GB和1TB的多个容量选择，搭配256MB-1GB的缓存，安全技术方面支持AES 256-bit和TCG Opal 2.0，平均故障率为150万小时，终生写入数据量为75-150TB，而之前的210/250GB版仅为44TB。
目前，闪存颗粒的具体生产工艺仍未透露。
在性能方面，持续读写速度最高可达540MB/s和520MB/s，随机读写则分别为最高94000-98000 IOPS和88000-90000 IOPS。在2.5寸硬盘中，这个表现已经相当出色，尤其是对于TLC而言，这几乎能够与MLC媲美。
值得注意的是主控，120-500GB型号采用最新的MGX控制器，声称在包括低容量随机性能等多个方面进行了优化。1TB版本则继续使用上代的MEX控制器，后者功耗略高。
根据三星的数据显示，850 EVO在同等容量下的随机写入性能明显优于840 EVO，甚至相同主控的1TB版本也更快，队列深度为1时加速可达21%，而在队列深度为32时，120GB版本的加速率更是达到1.5倍！
840 EVO所引入的写入加速技术“TurboWrite”在这次中继续使用，该技术通过将TLC模拟为高速的SLC以提升其性能，目前宣称在持续写入时性能提升了7-19%。
