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三星电子推出高端 512Mbit GDDR3 显存样本
发布时间：2004年12月09日 15:39:00 智能手机 人已围观
简介韩国三星电子宣布开始出货 512Mbit GDDR3 显存样品，将用于高端显示卡和游戏主机产品，带宽 1.6Gbytes/s，预计 2005 年初推出。...
据 digitimes 今日消息，韩国三星电子已开始出货 512Mbit GDDR3 显存样品。这款 512Mbit 的 GDDR3 显存将应用于高端显卡及游戏主机产品。三星电子的 512Mbit GDDR3 显存带宽为 1.6Gbytes/s，预计将于 2005 年初实现量产。关于该 512Mbit 的 GDDR3 显存，三星电子并未透露更多细节。
GDDR3 显存与 GDDR1 显存相似，不过 GDDR3 显存的设计使其能在更高工作频率下运行，为图形处理提供更快速的信号。GDDR1 显存的工作电压为 2.5V，而 GDDR3 显存的工作电压为 1.8V，其显存芯片内置片上信号终结单元和动态控制的阻抗输出驱动。市场预计 2005 年显存市场将增长 30%，产值可达 14.7 亿美元。
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