俄罗斯欲自研EUV光刻机，价格更低制造更易

快科技 12 月 19 日消息，有报道称，俄罗斯公布了自主研发 EUV（极紫外光刻）光刻机的路线图，目标是使其比 ASML 的光刻机更便宜、更易于制造。

据了解，俄罗斯的自主光刻机采用 11.2nm 的激光光源，而不是 ASML 标准的 13.5nm。这一波长将与现有的 EUV 设备不兼容，俄罗斯需要开发自己的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。

电子设计自动化（EDA）工具也需要进行更新。虽然现有的 EDA 工具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本步骤，但在涉及曝光的关键制程，如光罩数据准备、光学邻近校正（OPC）和分辨率增强技术（RET）等方面，则需要重新校准或升级为适合 11.2nm 的新制程模型。

该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的 Nikolay Chkhalo 领导，旨在制造具有竞争力且成本优势的 EUV 光刻机，以对抗 ASML 的设备。

Chkhalo 表示，11.2nm 波长的分辨率提高了 20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。

这种调整显著减少了光学元件的污染，延长了收集器和保护膜等关键部件的使用寿命。

俄罗斯的光刻机还可以使用硅基光阻剂，预计在较短波长下将具有更好的性能表现。尽管该光刻机的产量仅为 ASML 设备的 37%，因为其光源功率仅为 3.6 千瓦，但性能足以满足小规模芯片生产的需求。

据报道，俄罗斯光刻机的开发工作将分为三个阶段，第一阶段将专注于基础研究、关键技术识别和初步元件测试。

第二阶段将制造每小时可处理 60 片 200 毫米晶圆的原型机，并整合到国内芯片生产线中。

第三阶段的目标是打造一套可供工厂使用的系统，每小时可处理 60 片 300 毫米晶圆。

目前尚不清楚其光刻机将支持哪些制程技术，路线图也未提及各阶段的完成时间表。

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