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三星HBM4内存开始试生产：预计2025年末实现量产
发布时间：2025年01月06日 09:29:12 最新 人已围观
简介三星DS部门存储业务最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计，并且Foundry部门已依据该设计进行4nm试产。HBM，即高带宽存储器，以其出色性能在高性能计算领域受到了广泛关注。...
新标360快讯1月6日消息，据报道，三星的存储业务部门近期已顺利完成HBM4内存逻辑芯片的设计，而其Foundry业务部门也开始基于这一设计进行4nm工艺的试生产。
高带宽存储器（HBM）因其卓越的性能，在高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和图形处理（GPU）等技术领域扮演了关键角色。
根据知情人士透露，运行时的过热问题一直是制约HBM进步的关键因素，而在整个堆叠架构中，逻辑芯片的发热尤为严重。因此，采用先进的制造工艺对于提升HBM4的能效和性能至关重要。
在生产上，三星不仅运用其自主研发的4nm工艺来制造逻辑芯片，还引入了10nm工艺用于DRAM生产，以期打造更加优越的HBM4产品。
行业数据显示，HBM4标准最高支持2048位的接口和6.4GT/s的数据传输速率。与HBM3E相比，HBM4在单堆栈的带宽上已跃升至1.6TB/s，这一显著提升显著增强了内存系统的数据处理能力，更加有效地满足人工智能、深度学习、大数据处理以及高性能计算领域对内存性能的严格要求。
目前，三星的HBM4开发项目正在稳步进行，预计将于2025年下半年开始量产。
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