：内存技术新突破：每平方英寸可达数百 Gbit 的全息内存！

NTT 宣称将于 2005 年前后推出采用薄膜全息技术制造的内存。该公司现已成功研发出可存储 1GB 数据的这种薄膜全息内存，其技术原理是在厚度仅为 10μm 的塑料薄膜上绘制二维图形，再通过光照射该图形所得到的反射光图像（再现图像）来重现数据。相较于绘制三维图形的立体全息技术，此技术具有光源波长变化及塑料材料变形能力较强的优势。尽管该技术存在存储密度较低的缺陷，但可通过重叠数百枚薄膜来提升容量。从理论上讲，可实现数百 Gbit/英寸 2 以上的存储密度。 此次开发的存储介质在单张薄膜上实现了 1.7Gbit/平方英寸的存储密度。而目前能够将 100 张薄膜重叠在一起，如前所述，从技术层面而言，最大可层叠几百张薄膜，如此便可在每平方英寸上存储数百 G 甚至 1Tbit 数据，实现高密度化。 然而，当前全息内存技术的缺点较为突出，一是速度较慢，目前仅达到 1.5Mbit/秒，这对于海量数据来说是难以接受的。二是成本增加，这也是所有新技术的普遍问题。 现阶段，尽管 NTT 正大力向唱片界等推荐此项新型存储技术。但摆在 NTT 面前的首要任务应是实现该内存技术的实用化，需开发更经济的材料，并提高速度，否则即便作为便携存储设备，其速度也难以被消费者所接受。

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