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三星 3nm 芯片量产,欲弯道超车台积电

发布时间:2022年06月30日 10:44:11 好文 人已围观

简介三星电子宣布华城工厂开始量产 3nm 芯片,成为全球首家,在新一代芯片工艺节点上超越台积电。...

今日,三星电子在其官网宣称,该公司位于韩国华城的工厂已开启 3nm 制程半导体芯片的大规模生产,成为全球首家量产 3nm 芯片的企业。

这标志着,在新一代芯片工艺节点上,三星成功超越台积电,抢先占据了 3nm 芯片市场。

据三星官方介绍,其在 3nm 芯片上摒弃了之前的 FinFET 架构,转而采用全新的 GAA 晶体管架构,这使芯片的功耗表现得到了大幅提升。

与 5nm 相比,新研发的 3nm 工艺可降低 45%的功耗,减少 16%的面积,同时性能提升 23%。

然而,尽管三星在 3nm 工艺上处于领先地位,但这并不意味着其在芯片代工市场就能一帆风顺。

一方面,台积电计划在 2025 年实现 2nm 芯片的量产,这意味着三星需要加快新技术的研发,以防在下一新技术上被台积电反超。

另一方面,由于 4nm 制程芯片的功耗问题,高通等重要客户目前对三星的 3nm 制程工艺持观望态度,不敢轻易尝试。

Tags: 三星  3nm