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发布时间：2022年07月08日 19:02:14 好文人已围观

简介Intel IDM 2.0 战略中，在美投资建厂是关键一环，但因芯片补贴法案未通过而传跳票，现消息称 Intel 仍按计划推进建厂。...

在 Intel 于去年推出的 IDM 2.0 战略里，在美国本土投资 200 亿美元建设 2 座先进工艺晶圆厂是十分重要的一环，日前曾有跳票的消息传出，原因是美国官方的 520 亿美元芯片补贴法案尚未通过，不过现在有消息称 Intel 已获得补贴，新工厂也已动工。

据 digitimes 报道，Intel 日前已正式购得美国俄亥俄州新晶圆厂所需土地，该项目投资高达 200 亿美元。

虽然工厂已开工，但 Intel 的晶圆厂仍面临诸多问题，建厂规模将取决于美国政府的补助。此前，Intel 表示由于政府 520 亿美元规模的芯片法案陷入停滞，他们可能会推迟或削减在俄亥俄州的投资规模，甚至威胁要去欧洲建厂。

根据 Intel 之前的信息，新建的两座晶圆厂将分别命名为 Fab 52、Fab 62，还首次透露这些工厂将在 2024 年量产 20A 工艺，这是 Intel 面向未来的 CPU 工艺，将首次进入后纳米时代，首发埃米级工艺，其中的 A 就代表埃米。

虽然工艺细节尚未公布，但 20A 相当于友商的 2nm 工艺，并且还将采用 2 大创新技术——Ribbon FET 和 PowerVia。

据 Intel 介绍，RibbonFET 是 Intel 对 Gate All Around 晶体管的实现，它将成为公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术可提高晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用空间更小。

PowerVia 则是 Intel 独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求，可优化信号传输。