DDR6 内存初现：容量与性能大幅提升

就目前而言，DDR5 内存距离全面普及还为时尚早。然而，DRAM 内存芯片的头部厂商们已经开始了 DDR6 的研发工作。

在韩国水原举行的一场研讨会上，三星测试与系统封装副总裁 Younggwan Ko 表示，为了适应半导体存储产品性能的不断提升，封装技术必须持续发展。

在会议上，他明确表示，三星将在 DDR6 内存芯片的开发中采用 MSAP，即改良型半加成工艺。

据了解，MSAP 最初应用于 IC 载板的高精密线路制作。其技术是先在附有超薄底铜的基板上贴上干膜，然后用正片进行图形转移，再通过图形电镀加成形成线路，最后去除干膜和底铜，完成高精密布线，从而提高 PCB 的高频高速性能。

与三星目前使用的隆起法相比，MSAP 在空白区域也会进行镀层。

Ko 指出，DDR6 的存储容量和处理速度将大幅提高，需要更多的堆叠层数，这对封装技术既是机遇也是挑战。

此外，Ko 也承认，竞争对手已经在 DDR5 颗粒上率先使用了 MSAP 技术。

实际上，尽管在出货量上仍是 DRAM 领域的龙头老大，但三星在技术开发方面确实出现了落后的情况。除了上文提到的 MSAP，其在 1a DRAM 芯片的量产进度上也不及 SK 海力士和美光。

值得一提的是，根据早前的爆料，DDR6 内存的频率预计在 12~17GHz 之间，其问世至少还需要 5 年时间。

PS 图

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