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美国成功研发0.7nm芯片:突破硅原子两倍宽度,超越EUV光刻机技术!

发布时间:2022年09月23日 16:12:09 好文 人已围观

简介美国公司Zyvex在电子束光刻技术上取得了突破,成功制造出768皮米(0.7nm)的芯片,适用于量子计算机。与此同时,ASML的EUV光刻机仍在努力应对2nm和1nm芯片的生产挑战。...

当ASML的EUV光刻设备还在为制作2nm和1nm芯片而苦恼时,美国的一家公司却在另一种先进光刻技术上实现了突破。Zyvex利用电子束光刻技术成功研发出768皮米(约0.7nm)的芯片,这种芯片将可被应用于量子计算机领域。

Zyvex推出的光刻设备被称为ZyvexLitho1,基于扫描隧道显微镜(STM)技术,采用EBL电子束光刻工艺,制作出0.7nm线宽的芯片,这一精度远超EUV光刻系统,相当于仅有两个硅原子的宽度,是目前最先进的光刻系统。

该光刻机所生产的芯片主要用于量子计算,能够制造高精度的固态量子器件以及纳米级器件和材料,而对于量子计算机而言,精确度显得极为重要。

ZyvexLitho1不仅具备业内最高的电子束光刻精度,还具备商用能力,Zyvex公司已经开始接受客户订单,预计机器将于六个月内交付。

尽管EBL电子束光刻机的精度能轻松超过EUV光刻机,但这种技术也存在一些明显的缺点,即产量相对较低,无法实现大规模芯片生产,因此更适合制造小批量的高精度芯片或器件,期望其取代EUV光刻机并不现实。

Tags: 极紫外光刻  芯片