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英特尔承认EUV光刻技术中的失误:曾过于自信

发布时间:2022年10月14日 16:55:25 好文 人已围观

简介近年来,台积电和三星在半导体技术上逐渐超越了曾经的行业领头羊Intel。Intel在14nm节点之前一直是全球最先进的半导体公司,但在10nm节点遇到多重挑战,这为竞争对手提供了机会。文...

在近几年的发展中,台积电和三星在半导体技术上已成功超越Intel。曾几何时,Intel在14nm工艺节点上一直是全球领先的半导体企业,但在10nm工艺的挑战中遭遇诸多困境,为竞争对手提供了机会。

那么,Intel究竟是如何被赶超的呢?其CEO基辛格最近在一次采访中提到,Intel在极紫外(EUV)光刻技术的选择上出现了失误。

尽管Intel在EUV技术的推进方面曾是全球的重要推动者,并为ASML在EUV光刻机的研发提供了显著支持,但在采用10nm工艺时,Intel未选择EUV光刻,而是尝试了新的SAQP四重曝光技术,旨在实现不依赖EUV光刻机的先进制造。

基辛格指出,最开始这个目标是有前景的,但SAQP曝光工艺的复杂性和高成本令Intel最终走向了错误的EUV路径。他还认为,应该至少实施一个并行的EUV战略。

这一情况正是Intel在过去几年中10nm工艺频繁延期的根本原因,而目前其10nm工艺终于实现了量产,并重新命名为Intel 7工艺。

至于EUV工艺,Intel如今也开始重视,与ASML的合作关系良好。计划于今年底量产的Intel 4工艺将是其首个EUV工艺,该工艺将用于首发量产的14代酷睿Meteor Lake产品,并预计明年上市。

Tags: Intel  CPU处理器